四探針電阻率測試儀

四探針電阻率測試儀適用范圍四端測試法是目前較先進(jìn)之測試方法，主要針對高精度要求之產(chǎn)品測試；本儀器廣泛用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。
本儀器配置各類測量裝置可以測試不同材料之電導(dǎo)率。液晶顯示，無需人工計算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電導(dǎo)率單位自動選擇，BEST-300C 材料電導(dǎo)率測試儀自動測量并根據(jù)測試結(jié)果自動轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動生成圖表和報表。
本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時顯示電阻值、電阻率、方阻、電導(dǎo)率值、溫度、壓強(qiáng)值、單位自動換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.
提供中文或英文兩種語言操作界面選擇，滿足國內(nèi)及國外客戶需求
四探針電阻率測試儀電阻測量范圍：
電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、
電阻：1×10-5～2×105Ω
電導(dǎo)率：5×10-6～1×108ms/cm
分辨率：  *小1μΩ
測量誤差±5%
測量電壓量程：?2mV?  20mV? 200mV?2V?
測量精度±（0.1%讀數(shù)）
分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV
電流輸出：直流電流?0～1000mA?連續(xù)可調(diào)，由交流電源供電。
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?
誤差：±0.2%讀數(shù)±2字
主機(jī)外形尺寸：330mm*340mm*120mm
顯示方式：液晶顯示
電源：220±10% 50HZ/60HZ 
標(biāo)配：測試平臺一套、主機(jī)一套、電源線數(shù)據(jù)線一套。

GB/T 14141-2009 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定.直排四探針法
GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴(kuò)展電阻探針法
GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法
GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴(kuò)展電阻探針法
國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針法涉及到半導(dǎo)體材料、金屬材料試驗、絕緣流體、獸醫(yī)學(xué)、復(fù)合增強(qiáng)材料、電工器件、無損檢測、集成電路、微電子學(xué)、土質(zhì)、土壤學(xué)、水質(zhì)、電子顯示器件、有色金屬。

在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，四探針法涉及到半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、金屬物理性能試驗方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、電阻器、半導(dǎo)體集成電路、工程地質(zhì)、水文地質(zhì)勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質(zhì)分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導(dǎo)體材料、金屬無損檢驗方法。
范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量直徑大于15.9mm的由外延、擴(kuò)散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測量范圍為10A~5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量，但其測量精確度尚未評估。
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