江蘇鋁箔腐蝕高純水設備，電子級超純設備

江蘇鋁箔腐蝕高純水設備，電子級超純設備

 鋁箔的下道工序腐蝕和化成，也是腐蝕化成箔（又稱電極箔）產(chǎn)業(yè)鏈關鍵的環(huán)節(jié)：

      1) 腐蝕過程是以電子光箔為原材料，通過電化學方法刻蝕（Etching）電子光箔表面形成孔洞，從而增加陰極、陽極光箔的表面積，以提高其比電容而制成腐蝕箔；腐蝕技術決定比容高低——比容越高，電極箔需使用面積越小，電容器體積越小。

      2) 化成（Forming）是陽極腐蝕箔采用陽極氧化原理，根據(jù)對電極箔耐壓值要求的不同，采用不同的陽極氧化電壓（Vf），在其表面生成氧化薄膜（Al2O3）作為介電質，制成腐蝕化成箔。化成技術決定電壓和容量損耗的大小——化成技術越高，越耐高壓，容量損耗小，壽命越長。

   腐蝕和化成工藝段會用到大量的去離子水對鋁箔清洗，水中的金屬離子會直接影響產(chǎn)品性能，產(chǎn)品廣泛應用于各種微電子行業(yè)用高純水，如半導體生產(chǎn)、電子二級管生產(chǎn)、電子線路板生產(chǎn)、新能源電池生產(chǎn)、鋁箔腐蝕化成生產(chǎn)用高純水設備。

   目前一般用高純水設備的水質普遍要求在10兆歐以上，有的要求要達到15-18兆歐，基本上會采用二級反滲透+edi處理工藝和反滲透+離子交換混床工藝。

應用領域和指標要求參考：

主要工藝流程和出水指標：

※預處理+一級反滲透（電導率≤10μs/CM）

※預處理+一級反滲透+離子交換器（電阻率5~10MΩ.CM）

※預處理+一級反滲透+EDI（電阻率5~10MΩ.CM）

※預處理+二級反滲透+EDI（電阻率10~15MΩ.CM）

（詳細工藝需根據(jù)原水設計情況進行設計）