芯片PCT老化試驗(yàn)箱PCT-35

芯片PCT老化試驗(yàn)箱壹叁伍 叁捌肆陸 玖零柒陸又稱為高壓加速老化試驗(yàn)機(jī)，試驗(yàn)的目的是提高環(huán)境應(yīng)力(如：溫度)與工作應(yīng)力(施加給產(chǎn)品的電壓、負(fù)荷等)，加快試驗(yàn)過程，縮短產(chǎn)品或系統(tǒng)的壽命試驗(yàn)時(shí)間。半導(dǎo)體的測(cè)試:主要是測(cè)試半導(dǎo)體封裝之抗?jié)駳饽芰?，待測(cè)品被放置嚴(yán)苛的溫濕度以及壓力環(huán)境下測(cè)試，如果半導(dǎo)體封裝的不好，濕氣會(huì)沿者膠體或膠體與導(dǎo)線架之接口滲入封裝體之中，常見的故裝原因：爆米花效應(yīng)、動(dòng)金屬化區(qū)域腐蝕造成之?dāng)嗦?、封裝體引腳間因污染造成之短路等相關(guān)問題。

芯片PCT老化試驗(yàn)箱針對(duì)JESD22-A102的試驗(yàn)說明：

用來評(píng)價(jià)非氣密封裝器件在水汽凝結(jié)或飽和水汽環(huán)境下抵御水汽的完整性。樣品在高壓下處于凝結(jié)的、高濕度環(huán)境中，以使水汽進(jìn)入封裝體內(nèi)，暴露出封裝中的弱點(diǎn)，如分層和金屬化層的腐蝕。該試驗(yàn)用來評(píng)價(jià)新的封裝結(jié)構(gòu)或封裝體中材料、設(shè)計(jì)的更新。 應(yīng)該注意，在該試驗(yàn)中會(huì)出現(xiàn)一些與實(shí)際應(yīng)用情況不符的內(nèi)部或外部失效機(jī)制。由于吸收的水汽會(huì)降低大多數(shù)聚合物材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，當(dāng)溫度高于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)非真實(shí)的失效模式。

    外引腳錫短路：封裝體外引腳因濕氣引起之電離效應(yīng)，會(huì)造成離子遷移不正常生長(zhǎng)，而導(dǎo)致引腳之間發(fā)生短路現(xiàn)象。 濕氣造成封裝體內(nèi)部腐蝕：濕氣經(jīng)過封裝過程所造成的裂傷，將外部的離子污染帶到芯片表面，在經(jīng)過經(jīng)過表面的缺陷如：護(hù)層針孔、裂傷、被覆不良處、、等，進(jìn)入半導(dǎo)體原件里面，造成腐蝕以及漏電流、、等問題，如果有施加偏壓的話故障更容易發(fā)生。

芯片PCT老化試驗(yàn)箱滿足標(biāo)準(zhǔn)：

1、IEC60068-2-66

2、JESD22-A102-B

3、EIAJED4701

4、EIA/JESD22

5、GB/T2423、40-1997

芯片PCT老化試驗(yàn)箱技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

1．采用全自動(dòng)補(bǔ)充水位之功能,試驗(yàn)不中斷。

2．試驗(yàn)過程的溫度、濕度、壓力，是讀取相關(guān)傳感器的讀值來顯示的，而不是通過溫濕度的飽和蒸汽壓表計(jì)算出來的，能夠掌握實(shí)際的試驗(yàn)過程。

3．干燥設(shè)計(jì)，試驗(yàn)終止采用電熱干燥設(shè)計(jì)確保測(cè)試區(qū)(待測(cè)品)的干燥，確保穩(wěn)定性。

4．準(zhǔn)確的壓力/溫度對(duì)照顯示，完全符合溫濕度壓力對(duì)照表要求。

艾思荔的主營(yíng)產(chǎn)品有:高壓加速老化試驗(yàn)機(jī)，HAST高度加速壽命試驗(yàn)機(jī)，可程式恒溫恒濕試驗(yàn)箱、高低溫?zé)釢裨囼?yàn)箱、步入式恒溫恒濕試驗(yàn)室、高低溫試驗(yàn)箱、快速溫變高低溫試驗(yàn)機(jī)、冷熱沖擊試驗(yàn)箱、溫度沖擊箱、鹽霧試驗(yàn)機(jī)、鹽干濕復(fù)合鹽霧試驗(yàn)機(jī)、老化試驗(yàn)箱、高溫干燥箱、高溫烤箱、UV紫外線耐氣候試驗(yàn)機(jī)、真空烤箱等可靠性環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備以及制程設(shè)備，有數(shù)十個(gè)系列近百種產(chǎn)品。